RUS   ENG

Памяти Е.М. Дианова и В.В. Осико

Евгений Михайлович Дианов (31.01.1936-30.01.2019)

Е. М. Дианов родился 31 января 1936 года в селе Красное Тёпло-Огаревского района Тульской области СССР. В 1960 году окончил физический факультет МГУ им. М.В. Ломоносова. После окончания университета работал в Физическом институте АН СССР. В 1966 году защитил кандидатскую диссертацию, в 1977 — докторскую. С 1983 года работал в Институте общей физики АН СССР (ныне ИОФ РАН). С 1988 по 1998 год был заместителем директора института. В 1994 году избран директором Научного центра волоконной оптики при ИОФ РАН. В 1987 году избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению химии и наук о материалах, академик РАН c 1994 года.

Е.М. Дианов - один из основоположников современной волоконной оптики в России, признанный лидер этого научного направления. Международной научной общественности хорошо известны его работы в области теории световодных структур, нелинейной волоконной оптики, физики лазерных стекол и материалов для волоконной оптики, а также по практическому созданию волоконных световодов на основе кварцевого стекла, халькогенидных стекол и поликристаллических материалов. Эти труды в значительной мере определяют научный уровень наиболее актуальных направлений волоконной оптики в мире. В 1974 году в под руководством Е. М. Дианова в Физическом институте имени П.Н. Лебедева АН СССР совместно с Институтом химии АН СССР впервые в стране была разработана технология стеклянных волоконных световодов с низким уровнем оптических потерь. Это позволило сотрудникам лаборатории, руководимой Е.М. Диановым, провести широкие фундаментальные исследования и получить ряд результатов мирового уровня. Так, были проведены фундаментальные исследования прочности стеклянных волоконных световодов и разработана технология нанесения на световоды герметичных металлических покрытий, позволившая вдвое увеличить прочность волоконных световодов. В результате фундаментальных исследований распространения оптических солитонов в волоконных световодах впервые был обнаружен и объяснен эффект смещения несущей частоты оптических солитонов фемтосекундных длительностей по мере распространения по волоконному световоду. Е.М. Дианов первым предложил и экспериментально осуществил генерацию высокочастотной последовательности фундаментальных солитонов в волоконных световодах. В его лаборатории впервые предложен и теоретически обоснован электрострикционный механизм взаимодействия солитонов при их распространении по волоконному световоду. Под руководством Е.М. Дианова были проведены фундаментальные исследования вынужденного комбинационного рассеяния света (Рамановского рассеяния) в стеклянных волоконных световодах, позволившие разработать высокоэффективные волоконные оптические усилители и лазеры для систем волоконно-оптической связи.

Автор и соавтор более 700 научных работ, нескольких российских и международных патентов на изобретения. Подготовил 9 докторов и более 60 кандидатов наук.

Е.М. Дианов входил в Редакционный совет журнала «Квантовая электроника», в Совет Государственной Думы по инновациям и в Комиссию РАН по нанотехнологиям, был членом Американского оптического общества, Института инженеров электротехники и электроники, Общества исследования материалов; Американского керамического общества.

Лауреат Государственной премии СССР (1974 г.) и Государственной премии РФ (1998 г.). Награжден орденом «Знак Почета» (1983 г.), орденом Дружбы (1996 г.), медалью "За доблестный труд, орденом «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2006 г.), Лауреат премии им. А.С. Попова АН СССР (1980 г.).

 

Вячеслав Васильевич Осико (28.03.1932 - 15.11.2019)


Вячеслав Васильевич Осико родился 28 марта 1932 года в г. Ленинграде. В 1954 г. окончил Инженерный физико–химический факультет Московского химико–технологического института им. Д.И. Менделеева, затем занимался научной деятельностью в Физическом институте им. П.Н. Лебедева АН СССР (ФИАН) (г. Москва). В 1960 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата химических наук, в 1968 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук. В 1974 г. ему было присвоено звание профессора. В 1981 г. – избран членом-корреспондентом АН СССР по Отделению физико-химии и технологии неорганических веществ АН СССР (специальность «Технология неорганических материалов»), в 1987 г. – избран действительным членом по Отделению общей физики и астрономии АН СССР (специальность "Экспериментальная физика"). В 1955 – 1983 гг. В.В. Осико – старший лаборант – младший научный сотрудник – старший научный сотрудник – начальник отдела – заведующий сектором – заведующий лабораторией Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР. В 1983 – 1997 гг. – заведующий отделом – заместитель директора по науке Института общей физики АН СССР (затем РАН). В 1997 – 2005 гг.– директор Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики РАН. В 2005 – 2007 гг. – директор, а с 2007 г. – руководитель Научного центра лазерных материалов и технологий Института общей физики им. А.М. Прохорова РАН.

В.В. Осико внес неоценимый вклад в становление и развитие в нашей стране новой отрасли технологии – технологии лазерных материалов, лежащей в основе развития лазерного приборостроения и использования лазеров в народном хозяйстве. Им и его учениками созданы десятки новых лазерных кристаллов и стекол, нашедших широкое применение как у нас в стране, так и за рубежом. Под руководством Вячеслава Васильевича развиты новые методы исследования структуры твердых тел спектроскопическими методами. Научным коллективом под руководством В.В.Осико выполнены основополагающие работы по фундаментальным исследованиям процессов релаксации энергии электронного возбуждения в кристаллах и стеклах, активированных ионами редкоземельных и переходных элементов. Эти исследования позволили впервые разработать высококонцентрированные лазерные среды, которые позволили резко повышать эффективность твердотельных лазеров. Одним из крупнейших достижений Вячеслава Васильевича, принесших ему мировое признание, явилось создание нового способа плавления и кристаллизации тугоплавких материалов-диэлектриков путем прямого индукционного плавления в холодном тигле. Использование этого метода позволило разработать и синтезировать целый ряд новых кристаллических материалов с уникальными свойствами. Наиболее известные из них – фианиты – нашли широкое практическое применение. Кристаллы за короткий срок так распространились, что сейчас по объему производства среди всех монокристаллов стоят на одном из первых мест в мире. За последние годы под руководством В.В. Осико и им лично разработана технология наноструктурированной фторидной оптической (в том числе лазерной) керамики. Получение фторидной керамики открывает возможность создания сцинтилляторов и лазеров нового поколения. Вячеслав Васильевич Осико – основатель всемирно известной школы лазерного материаловедения. В числе его учеников – видные российские и зарубежные ученые, члены РАН и академий СНГ, многочисленные доктора и кандидаты наук. Вячеслав Васильевич является одним из основателей и руководителей учебно-научного центра ИОФ РАН – РХТУ им. Д.И. Менделеева.

В.В. Осико являлся соруководителем двух учебно-научных центров, главой научной школы. Под его руководством защищено 15 кандидатских диссертаций. Автор и соавтор около 500 научных работ, из них 2 монографий, 40 авторских свидетельств и 10 патентов.

В.В. Осико являлся членом редколлегии журнала «Доклады Академии Наук», руководителем секции «Образование и структура кристаллов» Научного совета РАН, членом экспертной комиссии по ФЦП, научным соруководителем НТЦ «Спектр», председателем Комитета РАН – Самсунг, членом Бюро Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН, председателем Комиссии по зарубежному патентованию РАН, членом Оптического общества им. Д. С. Рождественского, членом Американского оптического общества, членом Общества исследования материалов (MRS, США), сопредседателем многих российских и международных научных конференций.

Награжден орденом Трудового Красного Знамени и орденом Почета, Золотой медалью имени А.М. Прохорова (РАН). Лауреат Ленинской премии, премии Совета Министров СССР, премии Лодиза Международной организации по росту кристаллов, премии имени Е.С. Федорова (РАН).